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奧影科普 | X射線(xiàn)檢測(cè)設(shè)備的核心部件—探測(cè)器

更新時(shí)間:2024-07-17點(diǎn)擊次數(shù):1371

測(cè)器是X射線(xiàn)檢測(cè)設(shè)備中的核心部件之一,是成像的必要組成部分。從過(guò)去傳統(tǒng)應(yīng)用的X射線(xiàn)膠片,到如今數(shù)字化圖像的廣泛普及,射線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)經(jīng)歷了模擬成像技術(shù)和數(shù)字成像技術(shù)兩個(gè)階段。數(shù)字成像技術(shù)的出現(xiàn),特別是數(shù)字平板探測(cè)器的廣泛應(yīng)用,極大地推動(dòng)了射線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)的數(shù)字化進(jìn)程。

一、探測(cè)器的作用

我們知道,X射線(xiàn)是一種不可見(jiàn)光,而探測(cè)器的主要作用就是將不可見(jiàn)的X射線(xiàn)轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)的圖像,以便人們能夠直觀地觀察和分析物體內(nèi)部結(jié)構(gòu)。它通過(guò)感應(yīng)穿過(guò)物體的X射線(xiàn)強(qiáng)度,并根據(jù)不同部位X射線(xiàn)的強(qiáng)度差異,以黑白值(灰度等級(jí)值)的形式呈現(xiàn)出物體內(nèi)部的詳細(xì)圖像。


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二、常見(jiàn)數(shù)字探測(cè)器

在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景上區(qū)分,數(shù)字化X射線(xiàn)探測(cè)器可以分為線(xiàn)陣探測(cè)器和(面陣)平板探測(cè)器

  平板數(shù)字探測(cè)器


平板數(shù)字探測(cè)器,也被稱(chēng)為面陣探測(cè)器,是目前數(shù)字化X射線(xiàn)成像系統(tǒng)中應(yīng)用較為廣泛的一種類(lèi)型。它采用大面積的半導(dǎo)體材料,通過(guò)閃爍體和光電二極管陣列等結(jié)構(gòu),將X射線(xiàn)轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光,再轉(zhuǎn)換為電信號(hào),最后形成數(shù)字圖像。


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平板探測(cè)器采用全像式(全面輻射)探測(cè),X射線(xiàn)從不同方向通過(guò)被檢測(cè)物體,探測(cè)器可以接收整個(gè)掃描范圍內(nèi)的信號(hào)。

線(xiàn)陣數(shù)字探測(cè)器



線(xiàn)陣探測(cè)器是由多個(gè)探測(cè)單元排列在一條直線(xiàn)上的小型探測(cè)器,形成一個(gè)線(xiàn)性陣列。線(xiàn)陣探測(cè)器是采用逐點(diǎn)掃描(點(diǎn)射線(xiàn))的方式捕獲圖像,線(xiàn)陣中的探測(cè)器逐個(gè)掃描被檢測(cè)物體,形成點(diǎn)射線(xiàn)的方式進(jìn)行檢測(cè)。


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線(xiàn)陣列探測(cè)器與平板探測(cè)器在結(jié)構(gòu)上的不同,使得其成像散射小、具有較高的對(duì)比度靈敏度和空間分辨率。但線(xiàn)陣探測(cè)器具有對(duì)機(jī)械傳動(dòng)要求更高,成像速度慢,檢測(cè)效率較低,射線(xiàn)劑量要求較高等方面的問(wèn)題。
值得一提的是,除了平板探測(cè)器、線(xiàn)陣探測(cè)器以外,為了追求更高的(納米級(jí))空間分辨率,演化出利用光學(xué)放大物鏡耦合的探測(cè)器組件,這類(lèi)組件由閃爍體、光學(xué)鏡頭和高分辨CCD相機(jī)組成。是通過(guò)光學(xué)物鏡,對(duì)X射線(xiàn)激發(fā)閃爍體產(chǎn)生的可見(jiàn)光圖像進(jìn)行二次放大,再通過(guò)CCD相機(jī)采集可見(jiàn)光型號(hào),從而實(shí)現(xiàn)更高分辨的成像。必然導(dǎo)致光耦和物鏡探測(cè)器系統(tǒng)的檢測(cè)效率大幅降低,適用場(chǎng)景也相對(duì)有限。
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三、平板數(shù)字探測(cè)器

作為應(yīng)用很廣泛的平板探測(cè)器,在成像方式上又可以分為幾種主要類(lèi)型,包括:

  非晶硅平板數(shù)字探測(cè)器

非晶硅(A-Si)平板數(shù)字探測(cè)器其實(shí)也是間接數(shù)字化X線(xiàn)成像。其表面是一層閃爍體材料(如碘化銫或硫氧化釓),當(dāng)X射線(xiàn)穿過(guò)物體并擊中閃爍體時(shí),會(huì)轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光圖像。可見(jiàn)光圖像的下一層非晶硅光電二極管陣列將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào)圖像,隨后,對(duì)電信號(hào)逐行取樣轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),然后傳給計(jì)算機(jī)構(gòu)成X射線(xiàn)數(shù)字圖像。


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優(yōu)點(diǎn):
1.CsI晶體針狀結(jié)構(gòu),極大地提高了光電轉(zhuǎn)化效率;
2.X射線(xiàn)圖像灰度值分辨率和黑白對(duì)比度更強(qiáng);
3.非晶硅陣列采用的是并聯(lián)電路,單像素壞點(diǎn)不影響整板的正常工作;
4.產(chǎn)品壽命和掃描效率方面會(huì)相對(duì)更優(yōu)一些。
缺點(diǎn):
當(dāng)檢測(cè)系統(tǒng)的幾何放大倍數(shù)不足時(shí),由于單個(gè)像素尺寸大約為100μm,微小的缺陷可能無(wú)法在一個(gè)像素點(diǎn)上形成足夠的成像,從而導(dǎo)致這些缺陷無(wú)法被成功檢測(cè)到。

CMOS平板數(shù)字探測(cè)器


CMOS平板數(shù)字探測(cè)器結(jié)合了CMOS集成電路技術(shù)與X射線(xiàn)成像技術(shù)。它首先通過(guò)熒光材料,將X射線(xiàn)轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光圖像,可見(jiàn)光圖像下的一層CMOS感光成像器件將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。對(duì)電信號(hào)逐行取樣轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),然后傳給計(jì)算機(jī)構(gòu)成X射線(xiàn)數(shù)字圖像。


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優(yōu)點(diǎn):
1.像素小到50μm~70μm,可以幫助提高系統(tǒng)最小缺陷檢測(cè)能力;
2.圖像在探測(cè)器壽命初期銳利度高,視覺(jué)效果較佳。
缺點(diǎn):
1.CMOS結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)化效率低;
2.像素小,必然會(huì)導(dǎo)致探測(cè)器信噪比低,圖像灰度值和黑白對(duì)比度差;
3.CMOS光電二極管陣列電路是串聯(lián)電路,圖像上容易出現(xiàn)黑色死線(xiàn);
4.X射線(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間照射下老化快,壽命短。


CCD探測(cè)器

CCD探測(cè)器的結(jié)構(gòu)主要是由17英寸x17英寸的閃爍屏,反射鏡面,鏡頭和CCD感光芯片構(gòu)成。其原理是閃爍屏經(jīng)X射線(xiàn)曝光后,將X射線(xiàn)光子轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光,可見(jiàn)光被反射鏡面反射,然后通過(guò)鏡頭聚焦將可見(jiàn)光投射到CCD芯片上,CCD芯片再將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)換成電信號(hào),最終獲得數(shù)字化圖像,CCD探測(cè)器的DR屬于間接能量轉(zhuǎn)換方式。


CCD探測(cè)器相較于非晶硅平板探測(cè)器來(lái)說(shuō)成像質(zhì)量要差一些。且感光靈敏度不高,光電轉(zhuǎn)換效率往往低于30%。但是隨著CCD成像感光器件的技術(shù)不斷行不和提高,CCD探測(cè)器的圖像質(zhì)量也在逐步發(fā)展提高。過(guò)去比較高昂的成本也在不斷地降低。




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